FCPF16N60NT
![](/img-new/pdf.png)
FCPF16N60NT datasheet
-
МаркировкаFCPF16N60NT
-
ПроизводительFairchild Semiconductor
-
ОписаниеFairchild Semiconductor FCPF16N60NT Configuration: Single Continuous Drain Current: 16 A Continuous Drain Current Id: 16A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 16A Drain Source Voltage Vds: 600V Drain To Source Voltage (vdss): 600V Drain-source Breakdown Voltage: 600 V Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Forward Transconductance Gfs (max / Min): 13 S Gate Charge (qg) @ Vgs: 52.3nC @ 10V Gate-source Breakdown Voltage: +/- 30 V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 2170pF @ 100V Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole Mounting Type: Through Hole On Resistance Rds(on): 170mohm Package / Case: TO-220-3 Full Pack Power - Max: 35.7W Power Dissipation: 134.4 W Power Dissipation Pd: 1.08W Rds On (max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 8A, 10V Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V Resistance Drain-source Rds (on): 0.17 Ohms Rohs Compliant: Yes Series: SupreMOS?„? Threshold Voltage Vgs Typ: 2V Transistor Polarity: N-Channel Vgs(th) (max) @ Id: 4V @ 250?µA
-
Количество страниц10 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>На текущий момент наблюдается активный рост рынка промышленной автоматизации. Внедряются все новые инновационные технологии машинного обучения (ML) и роботизированные системы. Встроенные решения с четкой детерминированной связью крайне актуальны для приложений промышленной автоматизации для управления, контроля, мониторинга и обработки данных.</p> <p>На текущий момент наблюдается активный рост рынка промышленной автоматизации. Внедряются все новые инновационные технологии машинного обучения (ML) и роботизированные системы. Встроенные решения с четкой детерминированной связью крайне актуальны для приложений промышленной автоматизации для управления, контроля, мониторинга и обработки данных.</p>](/images/cache/aeac000bf61ac666360adf9c7451dd8c.png)
10.06.2024
![<p>В начале 2024 года (8 января) компания Onsemi представила на рынке линейку новых интегрированных модулей EliteSiC Power Integrated Modules (PIM). Девять модулей обеспечивают возможность двунаправленной зарядки для сверхбыстрых зарядных устройств постоянного тока для электромобилей (EV) и систем хранения энергии (ESS).</p> <p>В начале 2024 года (8 января) компания Onsemi представила на рынке линейку новых интегрированных модулей EliteSiC Power Integrated Modules (PIM). Девять модулей обеспечивают возможность двунаправленной зарядки для сверхбыстрых зарядных устройств постоянного тока для электромобилей (EV) и систем хранения энергии (ESS).</p>](/images/cache/c50c2531408230a0ca82da73d6f89f2b.png)
09.06.2024
![<p>Компания Efficient Power Conversion (EPC) выпустила три новые оценочные платы на полевых транзисторах GaN, отвечающих требованиям стандарта AEC-Q101, демонстрирующих превосходную производительность в системах LIDAR.</p> <p>Компания Efficient Power Conversion (EPC) выпустила три новые оценочные платы на полевых транзисторах GaN, отвечающих требованиям стандарта AEC-Q101, демонстрирующих превосходную производительность в системах LIDAR.</p>](/images/cache/e9af8a61da4e6a2cdc233e14d3777562.png)
08.06.2024